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SIHH080N60E-T1-GE3

Name: Vishay SIHH080N60E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHH080N60ET1-GE3
Price: 8687 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-SIHH080N60ET1-GE3

제조업체 번호:

SIHH080N60E-T1-GE3

제조업체:

Vishay / Siliconix

설명:

MOSFET PWRPK 600V 32A N-CH MOSFET

데이터시트:

SIHH080N60E-T1-GE3 데이터시트

ECAD 모델:

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재고 상태: 2,288

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전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩8,687.6	₩8,688
	₩5,875.6	₩58,756
	₩4,232.8	₩423,280
	₩4,173.6	₩2,086,800
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩3,404	₩10,212,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerPAK 8x8-4
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	600 V
Id - 연속 드레인 전류:	32 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	80 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	5 V
Qg - 게이트 전하:	42 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	184 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay / Siliconix
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	TW
하강 시간:	31 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	4.6 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	96 ns
시리즈:	SIHH E
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	37 ns
표준 턴-온 지연 시간:	31 ns

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데이터시트

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Technical Resources

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiHH080N60E E 시리즈 전력 MOSFET

Vishay/Siliconix SiHH080N60E E 시리즈 전력 MOSFET은 4세대 E 시리즈 기술을 제공하며 PowerPAK® 8 x 8 패키지로 제공됩니다. SiHH080N60E MOSFET은 낮은 FOM(성능 지수) Ron x Qg 및 낮은 유효 정전용량(Co(er))을 사용합니다. Vishay/Siliconix SiHH080N60E E 시리즈 전력 MOSFET의 감소된 스위칭 및 전도 손실은 650V 드레인-소스 전압 63nC 총 게이트 전하로 최적화되어 있습니다.