60V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs are designed with advanced trench process technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage. With AEC-Q101 qualification and a high junction temperature of +175°C, these MOSFETs are the optimal choice for automotive design engineers who wish to simplify circuitry while optimizing performance. PANJIT’s P-channel MOSFETs can reduce the circuit complexity of power designs. These components are available in a wide range of compact packages, including SOT-23, SOT-23 6L-1, DFN2020B-6L, DFN3333-8L, DFN5060-8L, and TO-252AA.

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 포장
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si 60 V 11.5 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si 60 V 15 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC AEC-Q101 Reel