BD5230G-1TR

ROHM Semiconductor
755-BD5230G-1TR
BD5230G-1TR

제조업체:

설명:
감시 회로 Nano Energy, 3.0V, Adjustable Delay Voltage Detector

라이프사이클:
신제품:
이 제조업체의 새로운 제품입니다.
ECAD 모델:
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재고 상태: 8,772

재고:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩1,022 ₩1,022
₩604.4 ₩6,044
₩519.8 ₩12,995
₩405.9 ₩40,590
₩338.7 ₩84,675
₩284.7 ₩142,350
₩254 ₩254,000
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩214.6 ₩643,800
₩178.1 ₩1,068,600

제품 속성 속성 값 속성 선택
ROHM Semiconductor
제품 카테고리: 감시 회로
RoHS:  
Voltage Detector
SMD/SMT
SSOP-5
3 V
1 Input
Open Drain
No Manual Reset
No Watchdog
No Backup
7 V
- 40 C
+ 85 C
0.9 %
Reel
Cut Tape
브랜드: ROHM Semiconductor
칩 지원 신호: No Chip Enable
제품 유형: Supervisory Circuits
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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CNHTS:
8542311999
USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

BD5230G-1TR CMOS 전압 감지기(리셋) IC

ROHM BLUETOOTH  BD5230G-1TR CMOS 전압 감지기(리셋) IC는 높은 정확성, 초저 소비 전류 및 경량 설계를 제공합니다. 외부 커패시터를 사용하여 이 전압 감지기 IC의 지연 시간 설정을 미세 조정할 수 있습니다. BD5230G-1TR IC는 0.9V~5V의 특정 감지 전압 범위에서 사용할 수 있으며 0.1V 단위로 조절 가능합니다. 시간 지연은 -40°C~85°C의 전체 작동 온도 범위에서 ±30% 이내의 정확성을 유지합니다. 이 N채널 오픈 드레인 출력 유형 전압 감지기 IC는 SSOP5 패키지로 제공되며 크기는 2.90mm x 2.80mm x 1.25mm입니다. 일반적인 애플리케이션에는 전압 감지 가 필요한 소비자 장치가 포함됩니다.