GNP2x650 V강화 모드 GaN HEMT

ROHM Semiconductor GNP2x 시리즈 650 V 인핸스먼트 모드 GaN HEMT는 고성능 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계된 제품입니다. 이 고전자이동도 트랜지스터(HEMT) 는 높은 항복 전압과 낮은 게이트 전하를 특징으로 합니다. GNP2x GaN HEMT는 고효율, 높은 전력 밀도, 빠른 스위칭 기능을 제공합니다. 이러한 GaN HEMT는8.5 V과도 게이트-소스 전압이 특징이며 -55°C ~ 150°C 온도 범위 내에서 작동합니다. 일반적인 애플리케이션으로는 고 스위칭 주파수 및 고밀도 컨버터가 있습니다.

결과: 4
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
ROHM Semiconductor GaN FET GaN FET 650V, 23A, 70mO
데이터시트
2,686재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,500
SMD/SMT DFN8080CK-8 N-Channel 1 Channel 650 V 27.2 A 98 mOhms - 10 V, + 6.5 V 2.5 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 169 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FET GaN FET 650V, 14.5A, 130mO, Pd 91W
데이터시트
2,679재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,500
SMD/SMT DFN8080CK-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.5 A 182 mOhms - 10 V, + 6.5 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FET TOLL8N 650V 27A HEMT
데이터시트
1,955재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

SMD/SMT TOLL-8N N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 98 mOhms - 10 V to + 6.5 V 1.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FET DFN 650V 33.8 HEMT
데이터시트
3,500주문 중
최소: 1
배수: 1
릴: 3,500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 33.8 A 70 mOhms - 10 V, 6.5 V 2.5 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 187 W Enhancement