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SIZF300DT-T1-GE3

Name: Vishay SIZF300DT-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIZF300DT-T1-GE3
Price: 2774 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

78-SIZF300DT-T1-GE3

제조업체 번호:

SIZF300DT-T1-GE3

제조업체:

Vishay Semiconductors

설명:

MOSFET 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3

라이프사이클:

수명 종료:

제품 단종이 예정되어 있으며 제조업체에서 생산을 중단할 것입니다.

데이터시트:

SIZF300DT-T1-GE3 데이터시트

ECAD 모델:

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구매 가능 정보

재고:: 재고 없음

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공장 리드 타임:: 39 주 추정 공장 생산 시간입니다.

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수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,774	₩2,774
	₩1,825	₩18,250
	₩1,344.7	₩134,470
	₩1,102.3	₩551,150
	₩965.1	₩965,100
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩795.7	₩2,387,100

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerPAIR3x3-4
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	2 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	30 V
Id - 연속 드레인 전류:	75 A, 141 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	4.5 mOhms, 1.84 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 16 V, - 12 V, 16 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1 V, 1.1 V
Qg - 게이트 전하:	22 nC, 62 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	74 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay Semiconductors
구성:	Dual
하강 시간:	7 ns, 12 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	60 S, 90 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	40 ns, 53 ns
시리즈:	SIZ
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	2 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	23 ns, 30 ns
표준 턴-온 지연 시간:	17 ns, 25 ns
단위 중량:	143.050 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SIZF300DT-T1-GE3 데이터시트

Application Notes

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

집적 MOSFET 솔루션

Vishay 집적 MOSFET 솔루션은 구성 요소를 단일 모놀리식 칩에 결합하여 전력 밀도와 효율성을 높이고 설계를 간소화하며 BOM(자재명세서) 비용을 절감합니다. 이러한 단일 및 다중 다이 MOSFET은 쇼트키 배리어 다이오드 및 ESD 보호와 같은 기능을 통합합니다. 이러한 MOSFET은 낮은 온 상태 저항 N-채널 및 P-채널 TrenchFET^® 기술과 낮은 열 저항이 특징입니다.

PowerPAIR® 듀얼-MOSFET

Vishay PowerPAIR^® 듀얼-MOSFET은 하나의 콤팩트한 패키지에 MOSFET의 최적화된 조합을 결합한 제품입니다. 공동 패키지 PowerPAIR 듀얼-MOSFET은 별도의 이산 소자에 비해 공간을 덜 사용하고 향상된 성능을 제공합니다. PowerPAIR 패키지 내부에 이미 연결되어 있는 2개의 MOSFET이 있으므로, 레이아웃이 더욱 쉬워지고 PCB 트레이스에서의 기생 인덕턴스가 줄어 효율이 높아집니다.