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TD350E

Name: STMicroelectronics TD350E
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-TD350E
Price: 7980 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-TD350E

제조업체 번호:

TD350E

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

게이트 드라이버 Advanced IGBT/MOSFET driver

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데이터시트:

TD350E 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 2,060

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공장 리드 타임:: 18 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩7,980	₩7,980
	₩6,080	₩60,800
	₩5,593.6	₩139,840
	₩5,076.8	₩507,680
	₩4,833.6	₩1,208,400
	₩4,681.6	₩2,340,800
	₩4,620.8	₩4,620,800
	₩4,560	₩9,120,000

대체 포장

제조업체 부품 번호:

TD350ETR

포장:

Reel, Cut Tape, MouseReel

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩3,602

최소:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
제품:	MOSFET Gate Drivers
타입:	High-Side
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOIC-14
드라이버 수:	1 Driver
출력 수:	1 Output
출력 전류:	2.3 A
공급 전압 - 최소:	0 V
공급 전압 - 최대:	16 V
구성:	Inverting
상승 시간:	130 ns
하강 시간:	75 ns
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
시리즈:	TD350E
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
습도에 민감:	Yes
작동 공급 전류:	5 mA
Pd - 전력 발산:	500 mW (1/2 W)
제품 유형:	Gate Drivers
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
기술:	Si
단위 중량:	338 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

TD350E 데이터시트 (PDF)

PCN

규정 준수 코드

KRHTS:: 8542311000
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542310075
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 모로코
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

모터 드라이버

STMicroelectronics 모터 드라이버는 브러시형 DC 모터, 스테퍼 모터 및 브러시리스 DC 모터의 요구 사항을 다루는 광범위한 모터 드라이버입니다. 이 드라이버는 광범위한 전압 및 정격 전류로 제공됩니다.STSPIN 모터 드라이버에는 모터를 효율적으로 구동하는 데 필요한 모든 기능이 포함되어 있습니다. 이러한 기능은 높은 정확도로 달성되며 이 드라이버에는 고급 모션 프로파일 생성기가 포함되어 있습니다.

TD350E Advanced IGBT/MOSFET Driver

STMicroelectronics TD350E Advanced IGBT/MOSFET Driver is an advanced gate driver for IGBTs and power MOSFETs. Control and protection functions are included and allow the design of high reliability systems. The innovative active Miller clamp function eliminates the need for negative gate drive in most applications and allows the use of a simple bootstrap supply for the high side driver. The device includes a two-level turn-off feature with adjustable level and delay. This function protects against excessive overvoltage at turn-off in case of overcurrent or short-circuit conditions. The same delay set in the two-level turn-off feature is applied at turn-on to prevent pulse width distortion.

MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버

STMicroelectronics MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버는 산업, 소비자, 컴퓨터 및 자동차 애플리케이션을 위한 개별 장치 포트폴리오입니다. 이 포트폴리오는 단일 브리지와 하프 브리지 및 다중 채널 드라이버에 이르는 범위를 제공합니다. 이 드라이버는 저전압 또는 고전압(최대 1,500V) 애플리케이션용으로 평가됩니다. ST는 안전 및 기능 요구 사항을 충족하기 위해 갈바닉 절연 게이트 드라이버 IC도 제공합니다. SiP(시스템 인 패키지) 솔루션은 하이 측 및 로우 측 게이트 드라이버와 MOSFET 기반 전력단을 통합하고 있습니다. 따라서 높은 수준의 통합과 낮은 개발 비용으로 산업 시장에 이상적입니다.