AFGBG70T65SQDC

Name: onsemi AFGBG70T65SQDC
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGBG70T65SQDC
Price: 11753 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-AFGBG70T65SQDC

제조업체 번호:

AFGBG70T65SQDC

제조업체:

onsemi

설명:

IGBT FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

AFGBG70T65SQDC 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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단가:

₩-

합계:

₩-

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩11,753	₩11,753
	₩9,095.8	₩90,958
	₩7,708.8	₩770,880
	₩7,358.4	₩3,679,200
전체 릴(800의 배수로 주문)
	₩7,241.6	₩5,793,280

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	IGBT
RoHS:
기술:	SiC
패키지/케이스:	D2PAK-7
장착 스타일:	SMD/SMT
구성:	Single
콜렉터-이미터 포화 전압:	1.54 V
최대 게이트 이미터 전압:	20 V
25 C의 지속적인 컬렉터 전류:	75 A
Pd - 전력 발산:	617 W
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	AFGBG70T65SQDC
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	onsemi
최대 연속 콜렉터 전류 Ic :	70 A
게이트-이미터 누설 전류:	400 nA
제품 유형:	IGBTs
팩토리 팩 수량:	800
하위 범주:	Transistors

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문서 필터:

데이터시트

AFGBG70T65SQDC 데이터시트 (PDF)

USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

AFGBG70T65SQDCN-채널 필드 스톱 IV IGBT

onsemi AFGBG70T65SQDC N채널 필드 스톱 IV 고속 IGBT는 새로운 필드 스톱 4세대 IGBT 기술과 1.5세대 SiC 쇼트키 다이오드 기술을 사용합니다. 이 650 V 콜렉터-이미터(V_CES) 정격 IGBT는 D2PAK7 패키지로 제공됩니다. 이 장치는 1.54 V 컬렉터-이미터 포화 전압(V_CE(SAT)) 및 70A의 컬렉터 전류(I_C)로 정격화되어 있습니다. onsemi AFGBG70T65SQDC는 전도 및 스위칭 손실이 적은 최적의 성능을 제공하여 다양한 애플리케이션에서 높은 효율을 구현합니다.