N-채널 30-45V(D-S) MOSFET

Vishay N-채널 30-45V(D-S) MOSFET은 매우 낮은 RDS Qg FOM(성능 지수)을 제공하는 TrenchFET® Gen IV 전력 MOSFET입니다. 이 장치는 열 전달을 위한 추가 공간을 제공하는 상단 측 냉각 기능을 갖춘 최저 RDS-Qoss FOM용으로 튜닝되었습니다. MOSFET은 100% Rg 및 UIS 테스트를 거쳤습니다.

결과: 3
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
데이터시트
30,772재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 54 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
데이터시트
10,175재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 291 A 960 uOhms - 16 V, 20 V 2.3 V 165 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET
데이터시트
11,425재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 228 A 1.36 mOhms - 16 V, 20 V 2.3 V 167 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel