소신호 전력 MOSFET

Infineon BLUETOOTH  소신호 전력 MOSFET은 우수한 견고성과 가격/성능 비율을 제공하는 N- 채널 및 P- 채널 장치입니다. 이 MOSFET은 소비자 산업 시장의 다양한 애플리케이션을 위해 복잡한 설계를 간소화합니다. 소신호 전력 MOSFET은 로직 및 정상 레벨 게이트 드라이브 기능으로 제공되며 폭넓은 범위의 온 저항(RDS (on) 옵션이 특징입니다. 이 MOSFET은 JEDEC 산업 표준에 따라 테스트되었으며 애벌랜치 등급입니다. 소 신호 전력 MOSFET은 60 V ~ 600 V 항복 전압, 설계 유연성 및 게이트 드라이브 유연성이 특징입니다. 이 MOSFET은 RoHS 규격을 준수하고 무할로겐입니다. 일반적으로 세탁기, 천장 팬, 진공 청소기, SMPS, 자동화 및 의료 분야에 사용됩니다.

결과: 5
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V
데이터시트
25,486재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 290 mA 5.5 Ohms 20 V 2 V 290 pC - 55 C + 150 C 960 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V
데이터시트
2,417재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 260 mOhms 20 V 4 V 10.8 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V
데이터시트
2,462재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 250 mOhms 20 V 2 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V
데이터시트
9,028재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 550 mA 1.7 Ohms 20 V 2 V 870 pC - 55 C + 150 C 1.04 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET Small-Signal Power-Transistor
데이터시트
2,457재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 240 V 121 mA 14 Ohms 20 V 1.8 V 1.11 nC - 55 C + 150 C 440 mW Enhancement Reel, Cut Tape