DGD0579UFN-7

Diodes Incorporated
621-DGD0579UFN-7
DGD0579UFN-7

제조업체:

설명:
게이트 드라이버 HV Gate Driver W-DFN3030-10 T&R 3K

ECAD 모델:
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재고 상태: 2,911

재고:
2,911
즉시 배송 가능
주문 중:
3,000
예상 2026-02-20
공장 리드 타임:
40
표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
포장:
전체 릴(3000의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩1,445.4 ₩1,445
₩1,041 ₩10,410
₩940.2 ₩23,505
₩827.8 ₩82,780
₩775.3 ₩193,825
₩743.1 ₩371,550
₩703.7 ₩703,700
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩693.5 ₩2,080,500
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다.

제품 속성 속성 값 속성 선택
Diodes Incorporated
제품 카테고리: 게이트 드라이버
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
SMD/SMT
WDFN-10
1 Driver
1 Output
2.5 A
6.5 V
18 V
19 ns
15 ns
- 40 C
+ 125 C
DGD0579U
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Diodes Incorporated
로직 타입: CMOS, TTL
습도에 민감: Yes
작동 공급 전류: 8 mA
Pd - 전력 발산: 400 mW
제품 유형: Gate Drivers
차단: Shutdown
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
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속성 선택됨: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

DGD0579U 하이 측 및 로우 측 게이트 드라이버

Diodes Inc. DGD0579U 하이 측 및 로우 측 게이트 드라이버는 하프 브리지 구성에서 N-채널 MOSFET을 구동할 수 있는 내부 부트스트랩 다이오드가 있는 고주파 게이트 드라이버입니다. 플로팅 하이 측 드라이버는 부트스트랩 구성에서 최대 100V의 정격 전류를 제공합니다. DGD0579U 로직 입력은 표준 TTL 및 CMOS 레벨(최저 3.3V)과 호환되어 MCU와 쉽게 인터페이스할 수 있습니다. 하이 측 및 로우 측용 UVLO는 전원 공급 손실로 MOSFET을 보호합니다. 교차 전도 방지 로직은 또한 HO와 LO가 동시에 켜지지 않도록 방지함으로써 MOSFET을 보호합니다. 빠르고 효과적으로 일치된 전파 지연은 더 높은 스위칭 주파수를 허용하므로 더 작은 관련 구성 요소를 사용하여 더 작고 컴팩트한 전력 스위칭 설계 장치를 구현할 수 있습니다. 공간을 최소화하기 위해 내부 부트스트랩 다이오드가 포함되어 있으며 Diodes Inc. DGD0579U는 W-DFN3030-10 패키지로 제공되고 -40~+125°C의 확장된 온도 범위에서 작동합니다.