SIC658ACD-T1-GE3

Name: Vishay SIC658ACD-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIC658ACD-T1-GE3
Price: 3898 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-SIC658ACD-T1-GE3

제조업체 번호:

SIC658ACD-T1-GE3

제조업체:

Vishay

설명:

게이트 드라이버 50A VRPOWER INTEGRATED POWER STAGE

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

SIC658ACD-T1-GE3 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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단가:

₩-

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₩-

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩3,898.2	₩3,898
	₩2,525.8	₩25,258
	₩2,248.4	₩56,210
	₩1,854.2	₩185,420
	₩1,752	₩438,000
	₩1,533	₩766,500
	₩1,362.2	₩1,362,200
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩1,156.3	₩3,468,900
	₩1,137.3	₩6,823,800

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
타입:	High-Side
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	MLP55-31
드라이버 수:	1 Driver
출력 수:	1 Output
출력 전류:	50 A
공급 전압 - 최소:	4.5 V
공급 전압 - 최대:	24 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
시리즈:	SIC658A
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	Vishay
작동 공급 전류:	38 mA
제품 유형:	Gate Drivers
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
기술:	Si
상표명:	VRPower

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SIC658ACD-T1-GE3 데이터시트 (PDF)

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

SiC658A 50 A VRPower® 집적 전원단

Vishay SiC658A 50A VRPower^® 집적 전력단은 높은 효율과 우수한 열 성능을 제공하므로 고전류 애플리케이션에 이상적입니다. Vishay SiC658A은 고급 MOSFET 기술을 사용하여 최적의 전력 변환과 감소된 스위칭 손실을 보장하여 서버 및 컴퓨팅 시스템의 신뢰성을 향상시킵니다. 이 모듈은 열 성능이 향상된 PowerPAK^® MLP55-31L 패키지가 특징이며 최대 50A의 연속 전류를 지원하며 최대 1.5MHz의 고주파에서 작동합니다.

광학 절연 MOSFET 드라이버

Vishay 광학 절연 MOSFET 드라이버는 저전압 MOSFET의 게이트를 구동하는데 필요한 전압을 제공합니다. 게이트 전압은 태양광 전지에 의해 생성되며 출력 측에 전원 공급 장치가 필요하지 않습니다. 따라서 저전압 MOSFET 사용 시 설계를 간소화할 수 있습니다. 단일 채널 VOM1271T은 단 10mA의 입력 순방향 전류로 8.4V 출력 전압을 제공합니다. 이중 채널 VO1263AACTR는 14.5 V 출력 전압을 제공합니다.