ZXMH MOSFET H-Bridges

Diodes Incorporated ZXMH MOSFET H-Bridges feature low on-resistance achievable with low gate drive. Diodes Incorporated ZXMH MOSFET H-Bridges provide 2 x N + 2 x P channels in a SOIC package and low voltage (Vgs = 4.5V) gate drive. Diodes Inc ZXMH MOSFET H-Bridge devices are ideal for DC motor control and DC-AC inverter applications.

결과: 4
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 포장

Diodes Incorporated MOSFET Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A 42,282재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 4 Channel 60 V 1.8 A, 1.42 A 250 mOhms, 400 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.2 nC, 5.7 nC - 55 C + 150 C 870 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9 23,014재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 4 Channel 100 V 1 A, 850 mA 700 mOhms, 1.45 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 2.9 nC, 3.5 nC - 55 C + 150 C 870 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A 27,930재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 4 Channel 30 V 2.72 A, 2.06 A 180 mOhms, 330 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 3 V 3.9 nC, 5.2 nC - 55 C + 150 C 10.9 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET H-BRIDGE SOP-8L 7,308재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 4 Channel 30 V 4.98 A, 4.13 A 33 mOhms, 55 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 9 nC, 12.7 nC - 55 C + 150 C 870 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel