STGWT28IH125DF

Name: STMicroelectronics STGWT28IH125DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWT28IH125DF
Price: 2720 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

511-STGWT28IH125DF

제조업체 번호:

STGWT28IH125DF

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

IGBT 1250V 25A trench gte field-stop IGBT

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데이터시트:

STGWT28IH125DF 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	IGBT
RoHS:
기술:	Si
패키지/케이스:	TO-3P-3
장착 스타일:	Through Hole
구성:	Single
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	1.25 kV
콜렉터-이미터 포화 전압:	2.65 V
최대 게이트 이미터 전압:	- 20 V, 20 V
25 C의 지속적인 컬렉터 전류:	60 A
Pd - 전력 발산:	375 W
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	STGWT28IH125DF
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
최대 연속 콜렉터 전류 Ic :	30 A
게이트-이미터 누설 전류:	250 nA
제품 유형:	IGBT Transistors
팩토리 팩 수량:	300
하위 범주:	IGBTs
단위 중량:	7 g

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문서 필터:

데이터시트

STGWT28IH125DF 데이터시트 (PDF)

PCN

규정 준수 코드

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 미국
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

STGWT28IH125DF Trench Gate Field-Stop IGBT

STMicroelectronics STGWT28IH125DF Trench Gate Field-Stop IGBTs feature an advanced proprietary trench gate field-stop structure. Performance is optimized in both conduction and switching losses. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is co-packaged. STMicroelectronics STGWT28IH125DF IGBTs maximize efficiency for any resonant and soft-switching application.