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TJ30S06M3L(T6L1,NQ

Name: Toshiba TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TJ30S06M3LT6L1NQ
Price: 3314 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

757-TJ30S06M3LT6L1NQ

제조업체 번호:

TJ30S06M3L(T6L1,NQ

제조업체:

Toshiba

설명:

MOSFET P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218

데이터시트:

TJ30S06M3L(T6L1,NQ 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 5,662

재고:: 5,662 즉시 배송 가능

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공장 리드 타임:: 20 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(2000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩3,314.2	₩3,314
	₩2,131.6	₩21,316
	₩1,448.3	₩144,830
	₩1,156.3	₩578,150
	₩1,087.7	₩1,087,700
전체 릴(2000의 배수로 주문)
	₩953.4	₩1,906,800
	₩949	₩3,796,000
	₩914	₩9,140,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Toshiba
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DPAK-3 (TO-252-3)
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Id - 연속 드레인 전류:	30 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	21.8 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 10 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3 V
Qg - 게이트 전하:	80 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	68 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q100
상표명:	U-MOSVI
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Toshiba
구성:	Single
제품 유형:	MOSFETs
시리즈:	TJ30S06M3L
팩토리 팩 수량:	2000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 P-Channel
단위 중량:	330 mg

제품을 찾음:

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속성 선택됨: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

문서 필터:

데이터시트

TJ30S06M3L(T6L1,NQ 데이터시트 (PDF)

Application Notes

Models

Simulation Model

PCN

Changes in Packing Material and Packing Method (PDF)

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

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Toshiba 자동차 솔루션은 운전 안전성을 향상하기 위해 설계된 다양한 자동차 반도체 소자를 제공합니다. 여기에는 이미지 인식 프로세서를 사용하는 ADAS(첨단 운전자 보조 시스템)가 포함됩니다. Toshiba는 종합적인 운전자 지원 솔루션을 제공하기 위해 미래의 관점에서 최첨단 반도체 기술을 제공합니다. 이러한 솔루션은 인간의 눈과 다른 복잡한 인간 감각을 모방하는 자율 주행 기능을 포함합니다.

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.