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SIRA99DP-T1-GE3

Name: Vishay SIRA99DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIRA99DP-T1-GE3
Price: 5022 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-SIRA99DP-T1-GE3

제조업체 번호:

SIRA99DP-T1-GE3

제조업체:

Vishay Semiconductors

설명:

MOSFET PPAKSO8 P-CH 30V 47.9A

데이터시트:

SIRA99DP-T1-GE3 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 2,824

재고:: 2,824

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예상 2026-11-02
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₩-

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컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩5,022.4	₩5,022
	₩3,285	₩32,850
	₩2,292.2	₩229,220
	₩1,985.6	₩992,800
	₩1,898	₩1,898,000
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩1,606	₩4,818,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerPAK-SO-8
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	30 V
Id - 연속 드레인 전류:	195 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	1.7 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 16 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1 V
Qg - 게이트 전하:	172.5 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	104 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	PowerPAK
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay Semiconductors
구성:	Single
하강 시간:	57 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	114 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	183 ns
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 P-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	64 ns
표준 턴-온 지연 시간:	69 ns
단위 중량:	506.600 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

SiRA99DP 30V P-채널 MOSFET

Vishay Semiconductors SiRA99DP 30V P-채널 MOSFET은 TrenchFET^® Gen IV 전력 MOSFET입니다. SiRA99DP MOSFET은 전압 강하를 최소화하고 전도 손실을 줄여 주는 낮은 온 상태 저항을 제공합니다.이 SiRA99DP MOSFET은 -55~150ºC의 온도 범위에서 작동합니다. 이 전력 MOSFET은 단일 구성 PowerPAK^® SO-8 패키지로 제공됩니다. 일반적으로 로드 스위치, 어댑터 및 충전기 스위치, 배터리 보호 및 모터 드라이브 제어에 사용됩니다.