FAD7171MX

onsemi
863-FAD7171MX
FAD7171MX

제조업체:

설명:
게이트 드라이버 600V, 4A, SOIC-8, High-Side Gate Drive IC

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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재고 상태: 1,148

재고:
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공장 리드 타임:
17 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩2,456.8 ₩2,457
₩1,805.6 ₩18,056
₩1,642.8 ₩41,070
₩1,460.8 ₩146,080
₩1,373.4 ₩343,350
₩1,321.6 ₩660,800
₩1,278.7 ₩1,278,700
전체 릴(2500의 배수로 주문)
₩1,185.5 ₩2,963,750
₩1,173.6 ₩8,802,000

제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: 게이트 드라이버
RoHS:  
Driver ICs - Various
High-Side
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
1 Output
10 V
20 V
11 ns
12 ns
- 40 C
+ 125 C
FAD7171MX
Reel
Cut Tape
브랜드: onsemi
입력 전압 - 최대: 20 V
입력 전압 - 최소: 10 V
최대 턴-오프 지연 시간: 95 ns
최대 턴-온 지연 시간: 100 ns
오프 시간 - 최대: 95 ns
작동 공급 전류: 105 uA
출력 전압: 35 mV
Pd - 전력 발산: 625 mW
제품 유형: Gate Drivers
전파 지연 - 최대: 100 ns
차단: No Shutdown
팩토리 팩 수량: 2500
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
기술: Si
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

FAD7171MX 하이사이드 자동차 게이트 드라이버 IC

onsemi FAD7171MX 하이사이드 자동차 게이트 드라이버 IC는 600V, 4A 모놀리식 하이사이드 게이트 드라이브 IC로 최대 +600V까지 동작하는 고속 MOSFET 및 IGBT를 구동할 수 있습니다. onsemi FAD7171MX는 높은 펄스 전류 구동 성능과 최소 교차 전도를 위해 설계된 모든 NMOS 트랜지스터가 포함된 버퍼링 출력 스테이지를 갖추고 있습니다. onsemi의 고전압 공정 및 공통 모드 노이즈 캔슬링 기술은 높은 DV/DT 노이즈 환경에서 하이사이드 드라이버의 안정적인 작동을 제공합니다. 고급 레벨 시프트 회로는 최대 VS=-13V(표준), VBS=15V까지 하이사이드 게이트 드라이버 작동을 제공합니다. UVLO(저전압 록아웃) 회로는 VBS가 지정된 임계 전압보다 낮을 때 오작동을 방지합니다.

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