650V CoolMOS™ CFD7 SJ 전력 MOSFET

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7 SJ 전력 MOSFET은 CFD7 제품군의 전압 등급을 확장하는 초고속 다이오드입니다. 이 전력 MOSFET은 추가적인 50V 항복 전압, 통합된 고속 바디 다이오드, 향상된 스위칭 성능 및 우수한 열 동작 기능을 제공합니다. 이 CFD7 전력 MOSFET은 LLC 및 ZVS(phase-shift-full-bridge)와 같은 공진 스위칭 토폴로지에서 최고의 효율을 발휘합니다. 이 MOSFET은 고속 스위칭 기술의 모든 장점과 함께 우수한 하드 계산 견고성을 결합하고 있습니다. 이 전력 MOSFET은 신뢰성 표준을 충족하고 고전력 밀도 솔루션을 추가로 지원하는 CoolMOS™ CFD7 기술을 지원합니다.

결과: 14
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
140재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 106 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 234 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
300재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
268재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
데이터시트
600재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
데이터시트
600재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
1,618재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 15 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
1,303재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 700 V 50 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
1,015재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
215재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
149재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
136재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
228재고 상태
240주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 17 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Tube