IGBT Intelligent Power Modules

ROHM Semiconductor IGBT Intelligent Power Modules (IPMs) Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBT) optimized for both high-speed and low-speed switching drives. These IPMs are comprised of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, and flywheel diodes. The modules offer a collector current ranging from 3A to 80A and voltage ranging from 600V to 1800V. The ROHM Semiconductor IGBT IPMs feature 3-phase DC/AC inverter, low side IGBT open-emitter, high side IGBT gate driver, low side IGBT gate driver, and fault signal. Typical applications include low-speed and high-speed switching drives.

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ROHM Semiconductor 지능형 전력 모듈 - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
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ROHM Semiconductor 지능형 전력 모듈 - IPM 600V IGBT Module
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ROHM Semiconductor IGBT 650V 10A IGBT Field Stop Trench
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220NFM-3
ROHM Semiconductor 지능형 전력 모듈 - IPM 600V IGBT I. Pwr Mod Staggered type
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ROHM Semiconductor 지능형 전력 모듈 - IPM IGBT IPM 600V 15A HSDIP25
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ROHM Semiconductor 지능형 전력 모듈 - IPM 600V IGBT IPM HSDIP25 Long Pin
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