1200V SiC MOSFET Six-Pack Modules

SemiQ 1200V SiC MOSFET Six-Pack Modules are highly efficient modules designed to boost cost-efficiency and allow more compact system-level designs. These SemiQ high-speed switching SiC MOSFETs implement a planar technology with rugged gate oxide and feature a reliable body diode. These design elements are arranged in a three-phase bridge topology. 1200V SiC MOSFET Six-Pack Modules also feature split DC negative terminals, press-fit terminal connections, and a Kelvin reference for stable operation. The high-power-density modules offer low switching losses and low junction-to-case thermal resistance. All parts are tested beyond 1350V with 100% wafer-level burn-in (WLBI).

결과: 3
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 시리즈 포장
SemiQ MOSFET 모듈 1200V 20ohm SiC MOSFET Six-Pack Module 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SiC Press Fit B2 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 30 A 25 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 263 W GCMX Tray
SemiQ MOSFET 모듈 1200V 40ohm SiC MOSFET Six-Pack Module 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SiC Press Fit B2 6 Channel 1.2 kV 30 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 160 W GCMX Tray
SemiQ MOSFET 모듈 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SiC Press Fit B2 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 29 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 103 W GCMX Tray