Asynchronous SRAMs

ISSI Asynchronous SRAMs are offered in x8, x16, and x32 configurations. These devices are available in high-speed, low-power, high-speed/low-power, PowerSaver lower power, and automotive versions with long-term support offered by ISSI's commitment to the continued development of these products. ISSI Asynchronous SRAMs feature a wide offering of densities (64K to 16M), speeds (8ns to 55ns), supply voltages (1.65V to 5V), and temperature ranges (commercial, industrial, and automotive). These devices are available in a variety of packages (BGA, SOJ, SOP, sTSOP, and TSOP) to fit a variety of design needs.

결과: 243
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,2.5v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

16 Mbit 25 ns 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,128K x 8,12ns,5v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 256K,Low Power/Power Saver,Async,32K x 8,45ns,3.3v,28 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

256 kbit 32 k x 8 45 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-28 Reel

ISSI SRAM 1M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

1 Mbit 64 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 1M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 135
배수: 135

1 Mbit 64 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v,or 10ns,2.4V-3.6V,44 Pin SOJ (400 mil), RoHS 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns 3.6 V 2.4 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V,36 Pin SOJ (400 mil), RoHS 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V,36 Pin SOJ (400 mil), RoHS 재고 없음
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,256K x 16,10ns,5v,44 Pin SOJ (400 mil), RoHS 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,512K x 8,10ns,5v,36 Pin SOJ (400 mil), RoHS 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,36 Pin SOJ (400mil), RoHS 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns/2.4V-3.6V,36 Pin SOJ (400mil), RoHS 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Reel
ISSI SRAM 256K,Low Power/Power Saver,Async,32K x 8,45ns,3.3v,28 Pin SOJ, RoHS 재고 없음
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

256 kbit 32 k x 8 20 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-28 Reel
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K x 8,8ns/3.3v or 10ns/2.4v-3.6v, 32 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Reel
ISSI SRAM 32Mb,High-Speed-Automotive,Async,2048K x 16,12ns,2.4v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

32 Mbit 2 M x 16 12 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 110 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-48 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 512 k x 8 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,10ns/3.3v, or 12ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS,Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 480
배수: 480

BGA-48 Tray
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS,Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

BGA-48 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

4 Mbit 256 k x 16 10 ns 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 4Mb 3.6v 10ns 512Kx16 LPAsync SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 480
배수: 480

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-48

ISSI SRAM 4M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx8 LP Async SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 135
배수: 135

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Tray