Asynchronous SRAMs

ISSI Asynchronous SRAMs are offered in x8, x16, and x32 configurations. These devices are available in high-speed, low-power, high-speed/low-power, PowerSaver lower power, and automotive versions with long-term support offered by ISSI's commitment to the continued development of these products. ISSI Asynchronous SRAMs feature a wide offering of densities (64K to 16M), speeds (8ns to 55ns), supply voltages (1.65V to 5V), and temperature ranges (commercial, industrial, and automotive). These devices are available in a variety of packages (BGA, SOJ, SOP, sTSOP, and TSOP) to fit a variety of design needs.

결과: 243
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
조직
액세스 시간
최대 클록 주파수
인터페이스 타입
공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
포장
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

16 Mbit 1 M x 16 55 ns 3.6 V 2.2 V 12 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

16 Mbit 1 M x 16 55 ns 3.6 V 2.2 V 12 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16/2Mb x 8, 55ns, 2.2v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

16 Mbit 1 M x 16 55 ns 3.6 V 2.2 V 12 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2Mb x 8,2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 210
배수: 210

16 Mbit 25 ns 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2Mb x 8,2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

16 Mbit 25 ns 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2Mb x 8,2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 25 ns 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2Mb x 8,2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

16 Mbit 25 ns 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,70ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (7.2x8.7mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

8 Mbit 70 ns 2.2 V 1.65 V 4 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 312
배수: 312

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Reel
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K x 8,8ns/3.3v or 10ns/2.4v-3.6v, 32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

Reel

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,64K x 16,12ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

1 Mbit 15 ns 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 64K,High-Speed,Async,8K x 8,10ns,5v,28 Pin TSOP I (8x13.4mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

64 kbit 8 k x 8 10 ns Parallel 5.25 V 4.75 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-28 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4V-3.6V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
최대: 200
릴: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed,Async,256K x 32,8ns/3.3V,or 10ns/2.4V-3.6V,90 Ball mBGA(8x13 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

8 Mbit 256 k x 32 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-90 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Pin TSOP I, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,2.5v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

16 Mbit 25 ns 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel