Asynchronous SRAMs

ISSI Asynchronous SRAMs are offered in x8, x16, and x32 configurations. These devices are available in high-speed, low-power, high-speed/low-power, PowerSaver lower power, and automotive versions with long-term support offered by ISSI's commitment to the continued development of these products. ISSI Asynchronous SRAMs feature a wide offering of densities (64K to 16M), speeds (8ns to 55ns), supply voltages (1.65V to 5V), and temperature ranges (commercial, industrial, and automotive). These devices are available in a variety of packages (BGA, SOJ, SOP, sTSOP, and TSOP) to fit a variety of design needs.

결과: 243
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수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
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액세스 시간
최대 클록 주파수
인터페이스 타입
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공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
포장

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,512K x 8,10ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,512K x 8,25ns,5v,32 Pin sTSOP I, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

4 Mbit 512 k x 8 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,512K x 8,25ns,5v,32 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

4 Mbit 512 k x 8 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480
1.65 V 90 mA + 85 C BGA-48
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 96
배수: 96

1.65 V 90 mA + 85 C BGA-48
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

1.65 V 90 mA + 85 C BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

1.65 V 90 mA + 85 C BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

16 Mbit 2 M x 8 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-54 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,10ns, 2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-36 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,10ns, 2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 2Mb (128K x 16) 10ns 2.4V-3.6V Async SRA
데이터시트
리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,128K x 8,10ns/2.4v-3.6v, 32 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,128K x 8,10ns/2.4v-3.6v, 32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel