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IRF100B201

Name: Infineon IRF100B201
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF100B201
Price: 6895 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

942-IRF100B201

제조업체 번호:

IRF100B201

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

데이터시트:

IRF100B201 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	100 V
Id - 연속 드레인 전류:	192 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	4.2 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2 V
Qg - 게이트 전하:	170 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	441 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	StrongIRFET
포장:	Tube
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
하강 시간:	100 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	278 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	97 ns
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
표준 턴-오프 지연 시간:	110 ns
표준 턴-온 지연 시간:	17 ns
단위 중량:	2 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IRF100B201 데이터시트 (PDF)

Models

Saber Model - IRF100B201 (CAD)

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF100B201

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규정 준수 코드

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 말레이시아
어셈블리 원산지:: 중국
COD(확산 공정 국가):: 말레이시아

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

IRF100x201 HEXFET™ 전력 MOSFET

Infineon IRF100x201 HEXFET™ 전력 MOSFET는 본체 다이오드 dV/가 개선된 100V의 단일 N채널 MOSFET입니다.dt 및 dl/dt 성능. 이 MOSFET는 개선된 게이트, 애버랜치 및 동적 dV/dt의 특징이 있습니다. 견고성, 정전 용량 특성 및 애버랜치 안전 작동 구역(SOA) 특성 IRF100x201 MOSFET는 TO-220 및 D²-Pak 패키지로 제공되고 RoHS 규정을 준수하며 무연 및 무할로겐 특징이 있습니다. 응용 기기에 대한 예로는 브러시 및 BLDC 모터 드라이브 응용 기기, 배터리구동 회로, 하프 브리지 및 풀 브리지 토폴로지, 전원 공급장치, 전원 스위치를 들 수 있습니다.