OptiMOS™ 5 75V-100V 자동차 용 MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS  ™ 5 75 V ~ 100 V 자동차용 MOSFET은 고성능 애플리케이션용으로 설계되었으며 AEC-Q101 표준을 초과하는 확장된 인증이 특징입니다.  N-채널 강화 모드 장치는 견고한 설계를 첨단 기술과 결합하여 선형 FET(LINFET) 및 낮은 RDS(on) FET(ONFET) 특성을 단일 패키지에 통합합니다. 이 듀얼 게이트 구성은 각 MOSFET에 전용 게이트 핀을 제공하여 회로 설계에서 유연성과 제어 기능을 향상시킵니다. 선형 FET는 향상된 안전 작동 영역(SOA) 및 우수한 병렬 성능을 자랑하며, 다양한 조건에서 안정적인 선형 작동을 보장합니다. Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V~100V MOSFET은 -55°C~+175°C의 넓은 온도 범위에서 작동하며 PG-HSOF-8-2 패키지로 제공됩니다.  

결과: 58
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 5,000
배수: 5,000
릴: 5,000

Si Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 131 nC - 55 C + 175 C 307 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,800
배수: 1,800
릴: 1,800

Si Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
릴: 1,800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 187 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
릴: 1,800

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

Si Reel, Cut Tape