OptiMOS™ 5 75V-100V 자동차 용 MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS  ™ 5 75 V ~ 100 V 자동차용 MOSFET은 고성능 애플리케이션용으로 설계되었으며 AEC-Q101 표준을 초과하는 확장된 인증이 특징입니다.  N-채널 강화 모드 장치는 견고한 설계를 첨단 기술과 결합하여 선형 FET(LINFET) 및 낮은 RDS(on) FET(ONFET) 특성을 단일 패키지에 통합합니다. 이 듀얼 게이트 구성은 각 MOSFET에 전용 게이트 핀을 제공하여 회로 설계에서 유연성과 제어 기능을 향상시킵니다. 선형 FET는 향상된 안전 작동 영역(SOA) 및 우수한 병렬 성능을 자랑하며, 다양한 조건에서 안정적인 선형 작동을 보장합니다. Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V~100V MOSFET은 -55°C~+175°C의 넓은 온도 범위에서 작동하며 PG-HSOF-8-2 패키지로 제공됩니다.  

결과: 58
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 4,144재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 6,281재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 24 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 4,593재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000
Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 5,362재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 70 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 3,778재고 상태
25,000예상 2026-07-09
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 4,605재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 231 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V,120V( 883재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 240 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 675재고 상태
1,900예상 2026-03-06
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 260 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 128 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V,120V( 1,018재고 상태
7,500주문 중
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 231 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 3,522재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 187 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 563재고 상태
1,800예상 2026-11-13
최소: 1
배수: 1
: 1,800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 144 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 126재고 상태
10,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 41재고 상태
4,000예상 2026-03-05
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 80 V 370 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 149 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 414재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 165 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 90 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 415재고 상태
8,000예상 2026-04-30
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
3,811예상 2026-03-12
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 67 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
7,392예상 2026-08-07
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 76 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
4,964예상 2026-04-01
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 4 Ohms - 20 V, 20 V 1.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
10,000예상 2026-02-16
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 28 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
5,504예상 2026-03-12
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 166 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 18 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 5.4 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 비재고 리드 타임 26 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 비재고 리드 타임 26 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V( 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si Reel, Cut Tape