IGBT 전력 모듈

Microchip IGBT 전력 모듈은 최적화된 스위칭 및 전도 손실 성능을 제공하는 다양한 트렌치 및 필드 스톱 생성 기능이 있는 전체 범위의 IGBT 전력 모듈입니다. 전원 모듈 부품 번호는 사용되는 IGBT 유형을 식별합니다. Trench5 IGBT 제품군은 Micochip의 IGBT 전력 모듈 제품을 보완하며 NPT IGBT를 위한 완벽한 교체 부품입니다. Microchip의 SiC 이산 및 모듈 제품은 20kHz 이상의 스위칭 주파수가 필요한 애플리케이션을 위한 대안 솔루션으로 간주될 수 있습니다.

결과: 162
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 제품
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
게이트-이미터 누설 전류
Pd - 전력 발산
패키지/케이스
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
Microchip Technology APTGT50DDA120T3G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3F
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 16
배수: 16

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 75 A 400 nA 270 W SP3F-32 - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology APTGT50DDA60T3G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3F
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 19
배수: 19

IGBT Modules Dual 600 V 1.5 V 80 A 600 nA 176 W SP3-32 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50DH120TG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP4
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 11
배수: 11

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 75 A 400 nA 277 W SP4 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50DH170TG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP4
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 9
배수: 9

IGBT Modules Dual 1.7 kV 2 V 75 A 400 nA 312 W SP4 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50DH60T1G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP1
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 19
배수: 19

IGBT Modules Asymmetrical Bridge 600 V 1.5 V 80 A 600 nA 176 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50DU120TG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP4
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 12
배수: 12

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 75 A 400 nA 277 W SP4 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50H120T3G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 11
배수: 11

IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 1.7 V 75 A 400 nA 270 W SP3-32 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50H170TG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP4
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 6
배수: 6

IGBT Modules Full Bridge 1.7 kV 2 V 75 A 400 nA 312 W SP4 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50H60RT3G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3F
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 14
배수: 14

IGBT Modules Full Bridge 600 V 1.5 V 80 A 600 nA 176 W SP3-32 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50H60T1G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP1
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 16
배수: 16

IGBT Modules Full Bridge 600 V 1.5 V 80 A 600 nA 176 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50SK120TG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP4
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 14
배수: 14

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.7 V 75 A 400 nA 277 W SP4 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50SK170TG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP4
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 13
배수: 13

IGBT Modules Single 1.7 kV 2 V 75 A 400 nA 312 W SP4 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50TA60PG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6P
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 8
배수: 8

IGBT Modules 3-Phase 600 V 1.5 V 80 A 600 nA 176 W SP6-P - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50TDU170PG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6P
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 5
배수: 5

IGBT Modules Triple Dual Common Source 1.7 kV 2 V 70 A 400 nA 310 W SP6-P - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50TDU60PG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6P
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 8
배수: 8

IGBT Modules Triple Dual Common Source 600 V 1.5 V 80 A 600 nA 176 W SP6-P - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50TL601G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP1
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 16
배수: 16

IGBT Modules 3-Phase Inverter 600 V 1.5 V 80 A 600 nA 176 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50TL60T3G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 15
배수: 15

IGBT Modules 600 V 1.5 V 80 A 600 nA 176 W SP3-32 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT600A60G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6C
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 4
배수: 4

IGBT Modules Dual 600 V 1.4 V 700 A 800 nA 2.3 kW SP6 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT600DA60G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6C
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 6
배수: 6

IGBT Modules Single 600 V 1.4 V 700 A 800 nA 2.3 kW SP6 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT600DU60G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6C
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 4
배수: 4

IGBT Modules Dual 600 V 1.4 V 700 A 800 nA 2.3 kW SP6 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT600SK60G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6C
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Single 600 V 1.4 V 700 A 800 nA 2.3 kW SP6 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT600U120D4G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-D4
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 4
배수: 4

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.7 V 900 A 400 nA 2.5 kW D4-5 - 40 C + 125 C Bulk
Microchip Technology APTGT600U170D4G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-D4
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Single 1.7 kV 2 V 1.1 kA 400 nA 2.9 kW D4-5 - 40 C + 125 C Bulk
Microchip Technology APTGT750U60D4G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-D4
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 6
배수: 6

IGBT Modules Single 600 V 1.5 V 1 kA 3.1 uA 2.3 kW D4-5 - 40 C + 125 C Bulk
Microchip Technology APTGT75A120T1G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP1
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 13
배수: 13

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 110 A 400 nA 357 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube