DIF065SIC0x0 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor DIF065SIC0x0 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer fast switching times and reduced noise levels in a SiC-wide bandgap material. The DIF065SIC0x0 features a low gate charge and on-state resistance. The devices operate at a 650V drain-source voltage with a junction temperature of -55°C to +175°C.

결과: 2
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명


Diotec Semiconductor SiC MOSFET 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175°C
데이터시트
450재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 150 A 20 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 236 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIF065SIC020
Diotec Semiconductor SiC MOSFET 650V TO-247-4L, N, 105A, 650V, 30m?, 175°C
데이터시트
450재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 105 A 30 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 145 nC - 55 C + 175 C Enhancement DIF065SIC030