비동기 SRAM

Renesas Electronics 비동기 SRAM은 고성능, 고신뢰성 CMOS 기술을 기반으로 합니다. 기술 및 혁신적인 회로 설계 기법은 고속 비동기 SRAM 메모리 요구 사항을 위한 비용 효율적인 솔루션을 제공합니다. 완전 정적 비동기식 회로는 작동을 위해 클록이나 새로 고침이 필요하지 않습니다. Renesas는 업계 표준 패키지 옵션을 사용하여 RoHS 6/6준수(녹색) 패키지로 비동기식 SRAM을 제공합니다.

결과: 107
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
조직
액세스 시간
인터페이스 타입
공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
포장

Renesas Electronics SRAM SRAM 4MB FAST X16 5V SOJ 12NS -40TO85C
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns 5.5 V 4.5 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tray
Renesas Electronics SRAM SRAM 4MB FAST X8 3V SOJ 12NS 0TO70C
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 12 ns 3.6 V 3 V 100 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-36 Tray

Renesas Electronics SRAM SRAM 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS 0TO70C
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns 3.6 V 3 V 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tray

Renesas Electronics SRAM SRAM 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS -40TO85C
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns 3.6 V 3 V 130 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tray

Renesas Electronics SRAM SRAM 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS 0TO70C
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns 3.6 V 3 V 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 32K X 16 SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000
없음
1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 250
배수: 250
없음
4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-48 Tray