신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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결과: 684
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-2R2M-EF 730재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2.2 uH 20 % 390 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-330K-EF 1,292재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

33 uH 10 % 120 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1uH 10MHz 20% 1608 AEC-Q200 12,254재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1 uH 20 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2.2uH 10MHz 20% 1608 AEC-Q200 4,270재고 상태
4,000예상 2026-02-18
최소: 1
배수: 1
: 4,000

2.2 uH 20 % 500 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 22uH 2MHz 20% 1608 AEC-Q200 3,187재고 상태
8,000예상 2026-02-18
최소: 1
배수: 1
: 4,000

22 uH 20 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1uH 10MHz 20% 2012 AEC-Q200 5,662재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1 uH 20 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2.2uH 10MHz 20% 2012 AEC-Q200 4,052재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

2.2 uH 20 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200 5,676재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1 uH 20 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2.2uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200 7,220재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2.2 uH 20 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 3.3uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200 5,518재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 uH 20 % 500 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 4.7uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200 6,721재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

4.7 uH 20 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 4.7uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200 5,869재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

4.7 uH 20 % 170 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 22uH 2MHz 20% 2012 AEC-Q200 6,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

22 uH 20 % 220 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1 H, 500mO 7,815재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.0uH 500mohms 50mA +/-5% Fer AEC-Q200 6,046재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1 UH 10% 6,722재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.0uH 500mohms 50mA +/-10% Fer AEC-Q200 5,765재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.0uH 500mohms 50mA +/-20% Fer AEC-Q200 3,375재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.2 UH 5% 4,802재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.2 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.2uH 650mohms 50mA +/-5% Fer AEC-Q200 5,554재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.2 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1.2 H, 650mO 9,418재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.2 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.2uH 650mohms 50mA +/-10% Fer AEC-Q200 4,095재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.2 uH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1.2 H, 650mO 2,793재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.2 uH 20 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 0603 1.5uH 5% 7,306재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.5 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.5uH 700mohms 50mA +/-5% Fer AEC-Q200 6,260재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.5 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200