신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.12 H, 400mO 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

120 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 120nH 400mohms 200mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

120 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.15 H, 450mO 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

150 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 180nH 500mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

180 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.18 H, 500mO 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

180 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 180nH 500mohms 150mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

180 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.22 H, 550mO 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

220 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 220nH 550mohms 150mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

220 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.27 H, 600mO 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

270 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 330nH 750mohms 100mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

330 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.39 H, 850mO 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

390 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 390nH 850mohms 100mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

390 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 560nH 1.05ohms 100mA +/-10% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

560 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 560nH 1.05ohms 100mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

560 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 680nH 1.25ohms 70mA +/-10% Fer AEC-Q200 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

680 nH 10 % 70 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 820nH 1.4ohms 70mA +/-20% Fer AEC-Q200 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

820 nH 20 % 70 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 10mA, 10 H, 1.7O 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

10 uH 20 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 12uH 1.8ohms 10mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

12 uH 20 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 15mA, 5.6 H, 1.1O 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

5.6 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 15mA, 6.8 H, 1.3O 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

6.8 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 10mA, 8.2 H, 1.5O 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

8.2 uH 20 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.0uH 300mohms 80mA +/-5% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1 uH 5 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.2uH 350mohms 80mA +/-10% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.2 uH 10 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 80mA, 1.2 H, 350mO 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.2 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.2uH 350mohms 80mA +/-20% Fer AEC-Q200 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.2 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200