신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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결과: 684
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

470 nH 10 % 50 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 45mA, 0.56 H, 470mO 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

560 nH 10 % 45 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

560 nH 10 % 45 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 45mA, 0.68 H, 550mO 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

680 nH 5 % 45 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

680 nH 10 % 45 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

820 nH 10 % 40 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

100 nH 10 % 180 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 0402 0.12uH 5% AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

120 nH 5 % 180 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 180mA, 0.12 H, 590mO 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

120 nH 10 % 180 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

120 nH 10 % 180 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 180mA, 0.15 H, 630mO 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

150 nH 10 % 180 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

150 nH 10 % 180 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 160mA, 0.18 H, 720mO 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

180 nH 10 % 160 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

180 nH 10 % 160 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

220 nH 10 % 160 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.27 H, 910mO 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

270 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

270 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

330 nH 10 % 140 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

390 nH 10 % 130 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

470 nH 10 % 120 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 120mA, 0.56H, 1.95O 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

560 nH 10 % 120 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

560 nH 10 % 120 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 10uH 1.69ohms 210mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

10 uH 10 % 210 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 15uH 2.2ohms 175mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

15 uH 10 % 175 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.0uH 0.34ohms 475mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

1 uH 20 % 475 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200