신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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결과: 684
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-4R7M-EFR 1,670재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

4.7 uH 20 % 285 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-6R8M-EFR 406재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

6.8 uH 20 % 275 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-R33M-EFR 858재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

330 nH 20 % 1.48 A SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 35mA, 1.2 H, 790mO 5,445재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

1.2 uH 10 % 35 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 50mA, 0.39 H, 410mO 2,795재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

390 nH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 140mA, 0.33 H, 1.05O 7,378재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

330 nH 10 % 140 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 130mA, 0.39H, 1.35O 8,641재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

390 nH 10 % 130 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 0402 0.56uH 5% AEC-Q200 6,410재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

560 nH 5 % 120 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.39 H, 450mO 22재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

390 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 3.3uH 208mohms 690mA Wound Ferrite
1,997예상 2026-04-22
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 uH 20 % 690 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD .068 UH 20%
3,992예상 2026-05-27
최소: 1
배수: 1
: 4,000

68 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD .47 UH 20%
16,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 4,000

470 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.47 H, 950mO
3,990예상 2026-05-26
최소: 1
배수: 1
: 4,000

470 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 330nH 400mohms 250mA +/-10% Fer AEC-Q200
8,000예상 2026-02-23
최소: 1
배수: 1
: 4,000

330 nH 10 % 250 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .47 UH 20%
7,991예상 2026-05-27
최소: 1
배수: 1
: 2,000

470 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 470nH 500mohms 200mA +/-10% Fer AEC-Q200
1,997예상 2026-03-09
최소: 1
배수: 1
: 2,000

470 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 5.6 UH 20%
1,688예상 2026-02-18
최소: 1
배수: 1
: 2,000

5.6 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 470nH 0.38ohms 600mA 10% 190MHz
13,906예상 2026-04-27
최소: 1
배수: 1
: 4,000

470 nH 10 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD .27 UH 20% 40,000구매 가능한 재고품
최소: 1
배수: 1
: 4,000

270 nH 20 % 250 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-3R3M-EF 2,000구매 가능한 재고품
최소: 1
배수: 1
: 2,000

3.3 uH 20 % 340 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

1 uH 10 % 40 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

1.2 uH 10 % 35 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

1.5 uH 10 % 35 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

1.8 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD - 비재고 리드 타임 10 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

2.2 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200