신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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결과: 684
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD .56 UH 20% 98재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

560 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD .68 UH 10% 4,079재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

680 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 680nH 600mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200 3,754재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

680 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.68 H, 600mO 1,576재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

680 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2012 0.82uH 5% 2,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

820 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 820nH 650mohms 150mA +/-5% Fer AEC-Q200 3,343재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

820 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 820nH 650mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200 1,780재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

820 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.82 H, 650mO 1,652재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

820 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 820nH 650mohms 150mA +/-20% Fer AEC-Q200 1,975재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

820 nH 20 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 10 UH 5% 4,718재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

10 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 10uH 800mohms 15mA +/-5% Fer AEC-Q200 2,417재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

10 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 10 UH 10% 8,255재고 상태
10,000예상 2026-03-30
최소: 1
배수: 1
: 2,000

10 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 10uH 800mohms 15mA +/-10% Fer AEC-Q200 2,761재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

10 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 10 UH 10% 463재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

10 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 15mA, 12 H, 900mO 8,300재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

12 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 12uH 900mohms 15mA +/-5% Fer AEC-Q200 3,321재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

12 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 12 UH 10% 3,062재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

12 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 6 UH 5% 5,364재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

5.6 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 5.6uH 600mohms 15mA +/-5% Fer AEC-Q200 3,689재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

5.6 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 5.6 UH 10% 3,970재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

5.6 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 5.6uH 600mohms 15mA +/-10% Fer AEC-Q200 1,998재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

5.6 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2012 6.8uH 5% 7,211재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

6.8 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 15mA, 6.8 H, 650mO 3,640재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

6.8 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 6.8uH 650mohms 15mA +/-10% Fer AEC-Q200 4,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

6.8 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 8.2 UH 5% 8,000재고 상태
10,000예상 2026-03-09
최소: 1
배수: 1
: 2,000

8.2 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C