신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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결과: 684
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD 27uH 1.0ohms 5mA +/-10% Fer AEC-Q200 2,400재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

27 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 27uH 1,857재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

27 uH 20 % 5 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 5mA, 33 H, 1.1O 2,955재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

33 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 33uH 1.1ohms 5mA +/-10% Fer AEC-Q200 2,440재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

33 uH 10 % 5 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 5mA, 33 H, 1.1O 116재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

33 uH 20 % 5 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 33uH 1.1ohms 5mA +/-20% Fer AEC-Q200 3,790재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

33 uH 20 % 5 mA SMD/SMT + 85 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 2mA, 68 H, 2.9O 5,249재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

68 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 68uH 2.9ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200 1,831재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

68 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 68uH 2.9ohms 2mA +/-20% Fer AEC-Q200 1,965재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

68 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 2mA, 82 H, 3O 7,748재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

82 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 82uH 3.0ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200 1,265재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

82 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -40 to +85 degC, 2mA, 82 H, 3O 1,740재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

82 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 47 NH 20% 11,123재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

47 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 47nH 100mohms 300mA +/-20% Fer AEC-Q200 2,906재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

47 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.068 H, 150mO 6,506재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

68 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 68nH 150mohms 300mA +/-20% Fer AEC-Q200 4,119재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

68 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.082 H, 150mO 7,304재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

82 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 82nH 150mohms 300mA +/-20% Fer AEC-Q200 3,236재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

82 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.1 H, 150mO 4,914재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

100 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 100nH 150mohms 300mA +/-5% Fer AEC-Q200 7,989재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

100 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .1 UH 10% 4,334재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

100 nH 10 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 100nH 150mohms 300mA +/-10% Fer AEC-Q200 2,953재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

100 nH 10 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.1 H, 150mO 1,991재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

100 nH 20 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 300mA, 0.12 H, 200mO 3,717재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

120 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 120nH 200mohms 300mA +/-5% Fer AEC-Q200 249재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

120 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200