신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD 5.6uH 1.1ohms 15mA +/-20% Fer AEC-Q200 6,967재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

5.6 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 15mA, 6.8 H, 1.3O 7,339재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

6.8 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 6.8uH 1.3ohms 15mA +/-5% Fer AEC-Q200 3,564재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

6.8 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 15mA, 6.8 H, 1.3O 6,726재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

6.8 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 6.8uH 1.3ohms 15mA +/-10% Fer AEC-Q200 2,399재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

6.8 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 6.8uH 1.3ohms 15mA +/-20% Fer AEC-Q200 2,773재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

6.8 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 8.2 UH 5% 11,800재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

8.2 uH 5 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 8.2uH 1.5ohms 10mA +/-5% Fer AEC-Q200 5,958재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

8.2 uH 5 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 10mA, 8.2 H, 1.5O 7,948재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

8.2 uH 10 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 8.2uH 1.5ohms 10mA +/-10% Fer AEC-Q200 3,468재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

8.2 uH 10 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 8.2uH 1.5ohms 10mA +/-20% Fer AEC-Q200 3,074재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

8.2 uH 20 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.0 UH 10% 27,233재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1 uH 10 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.0uH 300mohms 80mA +/-10% Fer AEC-Q200 3,651재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1 uH 10 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 80mA, 1 H, 300mO 3,461재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.0uH 300mohms 80mA +/-20% Fer AEC-Q200 3,144재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2012 1.2uH 5% 5,401재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.2 uH 5 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.2uH 350mohms 80mA +/-5% Fer AEC-Q200 4,277재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.2 uH 5 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.2 UH 10% 22,946재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.2 uH 10 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 80mA, 1.5 H, 400mO 4,734재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.5 uH 5 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.5uH 400mohms 80mA +/-5% Fer AEC-Q200 6,483재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.5 uH 5 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.5uH 400mohms 80mA +/-10% Fer AEC-Q200 3,063재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.5 uH 10 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 2012 1.8uH 5% 4,705재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.8 uH 5 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 2mm x 1.25mm x 0.85mm, -55 to +125 degC, 80mA, 1.8 H, 450mO 12,407재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.8 uH 10 % 80 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.8uH 450mohms 80mA +/-10% Fer AEC-Q200 4,311재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.8 uH 10 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.8uH 450mohms 80mA +/-20% Fer AEC-Q200 4,429재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

1.8 uH 20 % 80 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200