신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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결과: 684
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD 560nH 1.05ohms 100mA +/-5% Fer AEC-Q200 7,415재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

560 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .56 UH 10% 17,487재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

560 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.56 H, 1.05O 4,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

560 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 70mA, 0.68 H, 1.25O 7,228재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

680 nH 5 % 70 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 680nH 1.25ohms 70mA +/-5% Fer AEC-Q200 4,615재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

680 nH 5 % 70 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .68 UH 10% 28,643재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

680 nH 10 % 70 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 70mA, 0.68 H, 1.25O 1,235재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000
680 nH 20 % 70 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 680nH 1.25ohms 70mA +/-20% Fer AEC-Q200 2,025재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

680 nH 20 % 70 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .82 UH 5% 15,206재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

820 nH 5 % 70 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 70mA, 0.82 H, 1.4O 8,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

820 nH 10 % 70 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 820nH 1.4ohms 70mA +/-10% Fer AEC-Q200 3,472재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

820 nH 10 % 70 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .82 UH 20% 54재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000
820 nH 20 % 70 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 10 UH 5% 2,272재고 상태
20,000예상 2026-03-04
최소: 1
배수: 1
: 4,000

10 uH 5 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 10uH 1.7ohms 10mA +/-5% Fer AEC-Q200 355재고 상태
8,000예상 2026-02-18
최소: 1
배수: 1
: 4,000

10 uH 5 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 10uH 1.7ohms 10mA +/-10% Fer AEC-Q200 8,814재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

10 uH 10 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 10uH 1.7ohms 10mA +/-20% Fer AEC-Q200 5,612재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

10 uH 20 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 12 UH 5% 4,250재고 상태
20,000예상 2026-02-18
최소: 1
배수: 1
: 4,000

12 uH 5 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 12uH 1.8ohms 10mA +/-5% Fer AEC-Q200 5,426재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

12 uH 5 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 10mA, 12 H, 1.8O 2,960재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000
12 uH 10 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 12uH 1.8ohms 10mA +/-10% Fer AEC-Q200 6,474재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

12 uH 10 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 10mA, 12 H, 1.8O 2,419재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

12 uH 20 % 10 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 5.6 UH 5% 10,399재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

5.6 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 5.6uH 1.1ohms 15mA +/-5% Fer AEC-Q200 74재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

5.6 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 5.6 UH 10% 18,523재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

5.6 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 5.6uH 1.1ohms 15mA +/-10% Fer AEC-Q200 3,930재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

5.6 uH 10 % 15 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200