신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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결과: 684
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.12 H, 400mO 3,257재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

120 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 150nH 450mohms 200mA +/-5% Fer AEC-Q200 3,515재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

150 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 150nH 450mohms 200mA +/-10% Fer AEC-Q200 4,714재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

150 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 150nH 450mohms 200mA +/-20% Fer AEC-Q200 2,317재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

150 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .18 UH 5% 6,275재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

180 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.18 H, 500mO 6,081재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

180 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.22 H, 550mO 6,460재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

220 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 220nH 550mohms 150mA +/-5% Fer AEC-Q200 5,762재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

220 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .22 UH 10% 5,884재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

220 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 150mA, 0.27 H, 600mO 6,005재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

270 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 270nH 600mohms 150mA +/-5% Fer AEC-Q200 2,249재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

270 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .27 UH 10% 6,470재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

270 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 270nH 600mohms 150mA +/-10% Fer AEC-Q200 2,180재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

270 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.33 H, 750mO 519재고 상태
8,000예상 2026-05-26
최소: 1
배수: 1
: 4,000

330 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 330nH 750mohms 100mA +/-5% Fer AEC-Q200 2,697재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

330 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.33 H, 750mO 20,975재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

330 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 330nH 750mohms 100mA +/-10% Fer AEC-Q200 1,629재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

330 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.33 H, 750mO 1,150재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000
330 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 100mA, 0.39 H, 850mO 3,769재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

390 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 390nH 850mohms 100mA +/-5% Fer AEC-Q200 3,472재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

390 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .39 UH 10% 100재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

390 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 390nH 850mohms 100mA +/-10% Fer AEC-Q200 512재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

390 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 470nH 950mohms 100mA +/-5% Fer AEC-Q200 1,835재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

470 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 470nH 950mohms 100mA +/-10% Fer AEC-Q200 204재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

470 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 470nH 950mohms 100mA +/-20% Fer AEC-Q200 214재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

470 nH 20 % 100 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200