신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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결과: 684
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK RF 인덕터 - SMD 0603 4.7uH 5% 7,693재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

4.7 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 4.7 H, 1.6O 14,776재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

4.7 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 15 UH 10% 4,966재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

15 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 15uH 1.5ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200 4,907재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

15 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -40 to +85 degC, 2mA, 15 H, 1.5O 4,958재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

15 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 15uH 1.5ohms 2mA +/-20% Fer AEC-Q200 91재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

15 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -40 to +85 degC, 2mA, 18 H, 1.6O 4,366재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

18 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 18uH 1.6ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200 4,265재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

18 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 18uH 1.6ohms 2mA +/-20% Fer AEC-Q200 39재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

18 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 22 UH 10% 6,713재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

22 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 22uH 1.7ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200 4,573재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

22 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 22uH 1.7ohms 2mA +/-20% Fer AEC-Q200 2,769재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

22 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 33 UH 10% 4,319재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

33 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 33uH 2.2ohms 2mA +/-10% Fer AEC-Q200 14,676재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

33 uH 10 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -40 to +85 degC, 2mA, 33 H, 2.2O 5,169재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

33 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 33uH 2.2ohms 2mA +/-20% Fer AEC-Q200 9,794재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

33 uH 20 % 2 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 47nH 200mohms 200mA +/-20% Fer AEC-Q200 3,191재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

47 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .068 UH 20% 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

68 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 68nH 300mohms 200mA +/-20% Fer AEC-Q200 2,813재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

68 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.082 H, 300mO 7,432재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

82 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 82nH 300mohms 200mA +/-20% Fer AEC-Q200 2,809재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

82 nH 20 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .1 UH 5% 7,920재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

100 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 100nH 350mohms 200mA +/-5% Fer AEC-Q200 4,174재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

100 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 100nH 350mohms 200mA +/-10% Fer AEC-Q200 602재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

100 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.12 H, 400mO 3,538재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

120 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 125 C