결과: 8
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 패키지/케이스 장착 스타일 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 최대 게이트 이미터 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 330재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDTL4 Tube

onsemi IGBT 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 476재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube

onsemi IGBT 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 367재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube

onsemi IGBT 1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 754재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.43 V - 20 V, 20 V 200 A 1.495 kW - 55 C + 175 C FGY100T120RWD Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 392재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 410재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDT Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
450예상 2026-06-19
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDT Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V
450예상 2026-06-19
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube