AFGH4L60T120RWx-STD N-채널 필드 스톱 VII IGBT

onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N-채널 필드 스톱 VII IGBT는 새로운 필드 스톱 7세대 IGBT 기술과 7세대 다이오드를 4리드 패키지에 사용합니다. 이 1,200V 콜렉터-이미터(VCES) 등급 IGBT는 TO-247-4LD 패키지로 제공됩니다. 정격은 1.66V 컬렉터-이미터 포화 전압(VCE(SAT))이고 60A 컬렉터 전류(IC)입니다. onsemi AFGH4L60T120RWx-STD는 자동차 애플리케이션에서 하드 및 소프트 스위칭 토폴로지 모두에 대해 낮은 온 상태 전압과 낮은 스위칭 손실로 우수한 성능을 제공합니다.

결과: 2
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
패키지/케이스
장착 스타일
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
최대 게이트 이미터 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
onsemi IGBT IGBT - Automotive Grade 1200 V 60 A
데이터시트
450재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.66 V 30 V 73 A 289 W - 55 C + 175 C AFGH4L60T120RW-STD Tube
onsemi IGBT IGBT - Automotive Grade 1200 V 60 A, TO-247 4L
데이터시트
450재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.68 V 30 V 73 A 287 W - 55 C + 175 C AFGH4L60T120RWD-STD Tube