STGWA20H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2

제조업체:

설명:
IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
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데이터시트:
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제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
40 A
147 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
브랜드: STMicroelectronics
게이트-이미터 누설 전류: 250 nA
제품 유형: IGBT Transistors
팩토리 팩 수량: 1200
하위 범주: IGBTs
단위 중량: 6.100 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

규정 준수 코드
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
원산지 분류
COO(원산지):
중국
어셈블리 원산지:
불가능
COD(확산 공정 국가):
불가능
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STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT

STMicroelectronics STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT는 첨단의 독점 트렌치 게이트 필드 스톱 구조가 진화된 장치입니다. HB2 시리즈는 낮은 전류값 및 감소된 스위칭 에너지에서 프리미엄 VCE(sat)로 전도를 최적화합니다. STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT는 20A의 IC에서 1.65V(표준)의 낮은 VCE(sat)가 특징입니다. 

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at TJ=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (VCE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

재고 상태: 811

재고:
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단가:
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합계:
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수량 단가
합계
₩5,148 ₩5,148
₩2,854.8 ₩28,548
₩2,090.4 ₩209,040
₩1,778.4 ₩889,200
₩1,575.6 ₩1,890,720
₩1,486.7 ₩3,568,080
₩1,478.9 ₩15,972,120
25,200 견적

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