StrongIRFET™ 2 전력 MOSFETs(30V)

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 전력 MOSFETs(30V)는 저주파 및 고주파 스위칭 주파수에 최적화되어 있어 설계 유연성이 뛰어납니다. 이러한 소자는 뛰어난 견고성을 갖추면서도 전반적인 시스템 성능을 개선하기 위해 높은 전력 효율을 제공합니다. 전류 정격이 높아짐에 따라 더 높은 전류 전달 용량이 가능해져 여러 장치를 병렬로 연결할 필요가 없어지고, BOM 비용과 보드 비용을 절감할 수 있습니다. 애플리케이션에는 SMPS(스위치 모드 전원 공급 장치), 모터 드라이브, 배터리 구동 장치, 배터리 관리, UPS(무정전 전원 공급 장치), 경전기 자동차, 전동 공구, 원예 도구, 어댑터 및 소비자용 애플리케이션이 포함됩니다.

결과: 8
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Infineon Technologies MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK 636재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 122 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK 624재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 125 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 46 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK 399재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 119 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 3,890재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 137 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 1,294재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 143 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 3,736재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 99 A 3.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 16 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 3,760재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 73 A 4.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 13 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency 2,431재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 10 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape