Red Enhanced Silicon Photodiodes

Advanced Photonix Red Enhanced Silicon Photodiodes offer a variety of features and packages for numerous applications. The SD113-24-21-021 is a red enhanced Bi-Cell silicon photodiode with a gap of 100µm. It is ideal for accurate nulling, centering, or measuring small positional changes packaged in a hermetic TO-5 metal package. The SD 197-23-21-041 is a red enhanced quad-cell silicon photodiode used for nulling, centering, or measuring small positional changes packaged in a hermetic TO-8 metal package.

결과: 6
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 패키지/케이스 장착 스타일 피크 파장 암전류 Vr - 역 전압 상승 시간 하강 시간 최저 작동온도 최고 작동온도
Advanced Photonix 포토다이오드 Red Enhanced Ceramic Package Assembly 48재고 상태
최소: 1
배수: 1

PIN Photodiodes Through Hole 1100 nm 6 nA 75 V 190 ns 45 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix 포토다이오드 Blue Enhanced Photodiode 1,420재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

PIN Photodiodes SMD/SMT 1100 nm 2 nA 32 V 20 ns 20 ns - 40 C + 100 C
Advanced Photonix 포토다이오드 Red Enhanced Photodiode 36재고 상태
최소: 1
배수: 1

PIN Photodiodes Wire 660 nm 1 nA 50 V 45 ns 45 ns - 40 C + 100 C
Advanced Photonix 포토다이오드 Bi-Cell Red Enhanced Photodiode Assembly
379주문 중
최소: 1
배수: 1

PIN Photodiodes TO-5 Through Hole 900 nm 500 pA 50 V 50 ns 15 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix 포토다이오드 Red Enhanced Photodiode
160예상 2026-04-21
최소: 1
배수: 1

Photodiodes TO-8 Through Hole 1100 nm 1.4 nA 50 V 190 ns 13 ns - 40 C + 125 C
Advanced Photonix 포토다이오드 Red Enhanced Photodiode
100예상 2026-02-23
최소: 1
배수: 1

PIN Photodiodes Wire 1100 nm 90 nA 50 V - 40 C + 100 C