S80KS5122 및 S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 메모리

Infineon Technologies S80KS5122 및 S80KS5123 HYPERRAM ™ 2.0 메모리는   스크래치 패드 또는 버퍼링 목적으로 확장 메모리를 필요로 하는 고성능 임베디드 시스템을 위한 고속, 낮은 핀 수, 저전력의   자동 새로고침 DRAM (동적 RAM) 입니다. HYPERRAM 제품은 JEDEC JESD251 프로파일   호환 HYPERBUS™ 및 Octal xSPI 인터페이스를 지원하여 병렬 및 직렬 인터페이스 메모리의   레거시 기능을 활용하는 동시에 시스템 성능을   향상하고 시스템 비용을 줄여 설계 용이성을 향상시킵니다.   핀 수가 적은 구조 덕분에 HYPERRAM은 오프칩 외부 RAM이 필요한 전원 및 보드 공간이 제한된 애플리케이션에 특히 적합합니다.

결과: 20
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Infineon Technologies DRAM SPCM 256재고 상태
최소: 1
배수: 1

FBGA-24 Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 625재고 상태
최소: 1
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FBGA-24 S80KS5123 Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 336재고 상태
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HyperRAM 512 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 233재고 상태
338예상 2026-02-23
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HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 91재고 상태
최소: 1
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HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
338예상 2026-03-19
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
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FBGA-24 Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
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FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
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Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
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Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
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Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
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Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
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Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
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Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
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Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
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Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
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Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 15 주
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