CoolSiC™ JFET 트랜지스터

Infineon Technologies CoolSiC™ JFET 트랜지스터는 강화된 보호 및 스위칭 아키텍처를 통해 차세대 솔리드 스테이트 전력 분배를 구현하며, 견고하고 효율적인 솔리드 스테이트 솔루션을 제공합니다. 이 트랜지스터는 다음과 같은 기능을 제공합니다.XT 인터커넥션 기술로 펄스 및 사이클 부하 조건에서 향상된 열 성능과 높은 견고성을 보장합니다. CoolSiC™ JFET 솔리드 스테이트 설계는 더 높은 스위칭 속도를 가능하게 하고, 빠른 고장 격리, 시스템 손상 위험 감소, 정지시간 최소화, 그리고 시스템 수명 연장에 기여합니다. 주요 응용 분야로는 AI 데이터센터, 솔리드 스테이트 보호, 산업용 전력 시스템, 모터 소프트 스타터, 서지 보호가 포함됩니다.

결과: 4
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
구성
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Vgs - 게이트 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
Infineon Technologies JFET CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK
데이터시트
147예상 2026-09-08
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V, + 2.2 V 289 A 14.3 mOhms 1.127 kW - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies JFET CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK
데이터시트
150예상 2026-09-08
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V, + 2.2 V 238 A 17.5 mOhms 931 W - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies JFET CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK
데이터시트
150주문 중
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V, + 2.2 V 598 A 6.5 mOhms 2.38 kW - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies JFET CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK
데이터시트
150주문 중
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V, + 2.2 V 522 A 7.3 mOhms 2.142 kW - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape