고전압 역전도(BiMOSFET™) IGBT

IXYS 초고전압 시리즈 2,500~3,600V 역전도(BiMOSFET™) IGBT는 MOSFET과 IGBT의 강점을 결합한 장치입니다. 이런 고전압 장치는 진성 다이오드의 포화 전압과 순방향 전압 강하 모두의 전압 온도 계수가 양수인 점이 특징으로, 병렬 작동에 이상적입니다. “무료" 진성 바디 다이오드는 보호 다이오드 역할을 하며 장치가 꺼진 동안 유동성 부하 전류를 위한 대체 경로를 제공하여 높은 Ldi/dt 전압 과도 현상이 장치를 손상시키지 못하게 합니다.

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기술
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IXYS IGBT TO268 3KV 42A IGBT
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2,747재고 상태
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS IGBT TO247 3KV 12A IGBT
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290재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
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281재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBT PLUS247 2500V 25A IGBT
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199재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
데이터시트
121재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBT TO268 3KV 12A BIMOSFET
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277재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBT TO268 2500V 2A IGBT
데이터시트
683재고 상태
420주문 중
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3
IXYS IGBT 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
데이터시트
297재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS IGBT TO247 2500V 42A HI GAIN
데이터시트
124재고 상태
300예상 2026-08-19
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT TO264 3KV 55A BIMOSFET
데이터시트
1,275예상 2026-06-22
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
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비재고 리드 타임 24 주
최소: 300
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS IGBT ISOPLUS 3KV 22A IGBT
데이터시트
비재고 리드 타임 54 주
최소: 300
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS MOSFET ISOPLUS 3KV 24A DIODE
데이터시트
비재고 리드 타임 54 주
최소: 300
배수: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IGBT High Voltage High Gain BIMOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 54 주
최소: 300
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBT TO247 3KV 10A IGBT
데이터시트
비재고 리드 타임 54 주
최소: 300
배수: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBT BIMOSFET 2500V 75A
데이터시트
비재고 리드 타임 80 주
최소: 300
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBT 3600V/92A Rev Conducting IGBT
데이터시트
재고 없음
최소: 25
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS IGBT MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
데이터시트
비재고 리드 타임 54 주
최소: 300
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3