고전압 역전도(BiMOSFET™) IGBT

IXYS 초고전압 시리즈 2,500~3,600V 역전도(BiMOSFET™) IGBT는 MOSFET과 IGBT의 강점을 결합한 장치입니다. 이런 고전압 장치는 진성 다이오드의 포화 전압과 순방향 전압 강하 모두의 전압 온도 계수가 양수인 점이 특징으로, 병렬 작동에 이상적입니다. “무료" 진성 바디 다이오드는 보호 다이오드 역할을 하며 장치가 꺼진 동안 유동성 부하 전류를 위한 대체 경로를 제공하여 높은 Ldi/dt 전압 과도 현상이 장치를 손상시키지 못하게 합니다.

트랜지스터의 유형
카테고리 보기 변경
결과: 19
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS 제품 유형
기술
장착 스타일
패키지/케이스
IXYS IGBT 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
데이터시트
448재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS IGBT TO268 3KV 42A IGBT
데이터시트
2,787재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
데이터시트
281재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBT PLUS247 2500V 25A IGBT
데이터시트
224재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
데이터시트
307재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBT TO247 2500V 42A HI GAIN
데이터시트
334재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT TO268 3KV 12A BIMOSFET
데이터시트
277재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)


IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
데이터시트
127재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBT TO268 2500V 2A IGBT
데이터시트
8재고 상태
720예상 2026-03-11
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3
IXYS IGBT TO264 3KV 55A BIMOSFET
데이터시트
1,275예상 2026-07-22
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3

IXYS IGBT TO247 3KV 12A IGBT
데이터시트
300예상 2026-04-01
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS IGBT ISOPLUS 3KV 22A IGBT
데이터시트
비재고 리드 타임 34 주
최소: 300
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS MOSFET ISOPLUS 3KV 24A DIODE
데이터시트
비재고 리드 타임 57 주
최소: 300
배수: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IGBT High Voltage High Gain BIMOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 57 주
최소: 300
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBT TO247 3KV 10A IGBT
데이터시트
비재고 리드 타임 57 주
최소: 300
배수: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBT BIMOSFET 2500V 75A
데이터시트
비재고 리드 타임 80 주
최소: 300
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBT 3600V/92A Rev Conducting IGBT
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 25
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS IGBT MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
데이터시트
비재고 리드 타임 57 주
최소: 300
배수: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3