GaN Amplifiers (MGA)

MicroWave Technology GaN Amplifiers (MGA) are high-power amplifiers with state-of-the-art linear power-added efficiencies in multiple frequency bands. These amplifiers are based on advanced robust GaN device technology and employ 802.16x 64QAM modulation test patterns. The GaN amplifiers offer excellent reliability. These amplifiers are ideally suitable for 802.16d/e WiMax, 802.11b WLAN, telemetry, and point-to-point radio applications.

결과: 5
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 작동 주파수 작동 공급 전압 작동 공급 전류 이득 NF - 잡음 지수 타입 장착 스타일 패키지/케이스 기술 P1dB - 압축 지점 OIP3 - 3차 교차점 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
CML Micro RF 증폭기 Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers 88재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10

4.4 GHz to 4.9 GHz 400 mA 12 dB 3 dB Power Amplifiers SMD/SMT SMD-10 GaN 33 dBm 40 dBm + 175 C MGA Reel, Cut Tape, MouseReel
CML Micro RF 증폭기 2.4 2.7 GHz 10W High Efficiency GaN Linear Power Amplifier 60재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10

2.4 GHz to 2.7 GHz 400 mA 15 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-10 GaN 33 dBm 40 dBm + 175 C GAN AMPLIFIER Reel, Cut Tape, MouseReel
CML Micro RF 증폭기 Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers 6재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10

4.4 GHz to 5.9 GHz 400 mA 12 dB Power Amplifiers SMD/SMT GaN 33 dBm 40 dBm + 175 C MGA Reel, Cut Tape
CML Micro RF 증폭기 Point-to-Point Radio and WiMAX GaN based High Power Amplifiers 13재고 상태
10예상 2026-04-28
최소: 1
배수: 1
: 10

4.4 GHz to 5.3 GHz 300 mA 13 dB Power Amplifiers SMD/SMT SMD-10 GaN 35 dBm 43 dBm + 175 C MGA Reel, Cut Tape

CML Micro RF 증폭기 7.1 8.5 GHz 10W High Efficiency GaN Power Amplifier 72재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10

7.1 GHz to 8.5 GHz 28 V 1.3 A 13 dB Power Amplifiers SMD/SMT GaN 40 dBm 54 dBm - 55 C + 125 C GAN AMPLIFIER Reel, Cut Tape