GCMS040B120S1-E1

SemiQ
148-GCMS040B120S1-E1
GCMS040B120S1-E1

제조업체:

설명:
MOSFET 모듈 1200V SiC COPACK Power Module

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩42,573.6 ₩42,574
₩32,339 ₩323,390
₩28,397 ₩2,839,700

제품 속성 속성 값 속성 선택
SemiQ
제품 카테고리: MOSFET 모듈
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1.2 kV
57 A
52 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
- 55 C
+ 175 C
242 W
Tube
브랜드: SemiQ
하강 시간: 16 ns
제품 유형: MOSFET Modules
상승 시간: 5 ns
팩토리 팩 수량: 10
하위 범주: Discrete and Power Modules
타입: COPACK Power Module
표준 턴-오프 지연 시간: 21 ns
표준 턴-온 지연 시간: 15 ns
Vf - 순방향 전압: 1.52 V
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module

SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module is simple to drive, very rugged, and easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs. The GCMS040B120S1-E1 supplies freewheeling SiC SBD with zero reverse recovery. The device provides low switching losses and junction-to-case thermal resistance. The SemiQ GCMS040B120S1-E1 Power Module offers a low QRR at high temperatures and allows direct mounting to the heatsink in an isolated package.

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.

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