600V CoolMOS™ PFD7 SJ 전력 MOSFET

Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 SJ 전력 MOSFET은 초접합(SJ) 원리에 따라 설계되고 Infineon에 의해 개척된 고전압 전력 MOSFET을 위한 혁신적인 기술입니다. CoolMOS™ PFD7은 충전기, 어댑터, 모터 드라이브, 조명 등과 같이 소비자 시장에서 비용에 민감한 애플리케이션을 대상으로 맞춤 설계 및 최적화된 플랫폼입니다. 이 시리즈는 고속 스위칭 수퍼 접합 MOSFET의 모든 이점과 우수한 가격대비 성능 및 최첨단의 사용 편의성 수준을 제공합니다. 이 기술은 최고 효율의 표준을 충족하고 높은 전력 밀도를 지원하여 고객사가 제품을 슬림하게 설계하는 데 도움을 줍니다.

결과: 19
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 12,010재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 4,780재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT Thin-PAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 14재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000
Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 3,134재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3 A 2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 3.8 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 4,057재고 상태
1,500예상 2026-07-09
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 3,214재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 386 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 3,786재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.7 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 710재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 386 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 1,896재고 상태
2,500예상 2026-08-13
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.7 A 1.978 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 39재고 상태
10,000예상 2026-03-05
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 1,609재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 288재고 상태
1,500예상 2026-03-05
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 235 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 2,080재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 141재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 549 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15.3 nC - 40 C + 150 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 2,505재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 715 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.7 nC - 40 C + 150 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 1,358재고 상태
2,500예상 2026-02-16
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4.7 A 1.978 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 1,498재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 368재고 상태
3,000예상 2026-03-26
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 8.5 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 비재고 리드 타임 16 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 3.8 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel