Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Qc x Vf).

결과: 9
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
구성
If - 순방향 전류
Vrrm - 반복 역 전압
Vf - 순방향 전압
If - 순방향 서지 전류
Ir - 역 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES
데이터시트
2,334재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 124 A 850 nA - 55 C + 175 C XDH16G65 Tube
Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES
데이터시트
2,552재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 54 A 300 nA - 55 C + 175 C XDH06G65 Tube
Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES
데이터시트
2,693재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-2 Single 4 A 650 V 1.5 V 38 A 200 nA - 55 C + 175 C XDH04G65 Tube

Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES
데이터시트
540재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 182 A 2.2 uA - 55 C + 175 C XDW40G65 Tube

Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES
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750재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 Single 20 A 650 V 1.5 V 103 A 1.1 uA - 55 C + 175 C XDW20G65 Tube

Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES
데이터시트
187재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 182 A 2.2 uA - 55 C + 175 C XDW40G65 Tube
Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES
데이터시트
325재고 상태
500예상 2026-04-06
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 82 A 500 nA - 55 C + 175 C XDH10G65 Tube

Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES
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242재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 Single 12 A 650 V 1.5 V 71 A 600 nA - 55 C + 175 C XDW12G65 Tube
Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES
데이터시트
540재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 68 A 400 nA - 55 C + 175 C XDH08G65 Tube